Fiabilité de transistors industriels HEMTs de puissance basés sur la technologie AlGaN/GaN

Ing. J. BARTHOLOMEUS
ECAM - Bruxelles

Cet article fait l’étude de la fiabilité de transistors industriels HEMTs basés sur la technologie AlGaN/GaN. Afin d’évaluer cette fiabilité, une analyse des pièges au sein du transistor a été effectuée. Le premier test, en double Pulsed IV, permet de déterminer la présence de ces pièges. Le second, en courant transitoire, d’en établir les caractéristiques. Les tests ont été effectués sur des transistors GIT produits par GaN System.

Mots-Clefs: Gallium nitride (GaN), High Electron Mobility Transistor (HEMT)

This article investigates the reliability of GaN-based high-electron mobility transistors (HEMTs) designed by semiconductor industry. To evaluate this reliability, traps tests were performed in double pulse IV and current transient. The first one detects the presence of the traps, the second evaluates their characteristics. The tests were done on GIT devices produced by GaN System.

Keywords : Gallium nitride (GaN), High Electron Mobility Transistor (HEMT)


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Revue scientifique des ISILF n°31, 2017, p189